锴威特亮相2020世界半导体大会并获创新产品和技术奖！
2020-08-27
8月26日，2020年世界半导体大会暨南京国际半导体博览会（World Semiconductor Conference 2020）在南京国际博览中心开幕，从展会传来好消息，锴威特半导体“C2M120N160-1200VSiC平面功率MOSFET”被评为“第十四届（2019年度）中国半导体创新产品和技术”奖。
锴威特“C2M120N160-1200VSiC平面功率MOSFET”获奖时刻
C2M120N160是一款1200V SiC平面功率MOSFET，可广泛应用于新能源汽车、充电桩、数据中心电源、5G电源等工业控制和新能源领域。C2M120N160采用特有的沟道自对准工艺进行加工制造，产品一致性高，性能稳定，产品良率达到了90%以上。
目前SiCMOSFET仅有欧美和日本几家公司可以批量供货，我们通过技术创新，C2M120N160解决了工艺一致性问题，并通过该技术制作出短沟道的SiC MOSFET，Ronsp已经达到国际先进水平，为工业控制和新能源领域提供国内的解决方案。
据悉，本届大会是在我国半导体产业发展面临重大历史机遇背景下举办的一次较高规格的大型专题活动，国际知名半导体企业均有参展。参展企业超过200家，汇聚了IC设计、晶圆制造、封装检测、半导体设备与材料等半导体全产业全球顶尖企业。
在张家港市工信局的统一带领下，我公司也受邀积极筹备并参与了此次展会，展会布置、产品展示及现场接洽，在张家港市半导体企业的展会区内，成为一抹靓丽的风景线，同时也为此次世界半导体大会增添了更多活力和夺目之处。
通过参与此次大会，使我司更加深入了解了全球半导体产业的前沿趋势，对半导体行业内热点、难点问题也获得了有效交流和学习，这对我们下一步的战略规划和技术发展路线提供了很多新思路和新的意义。
