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汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂，在系统应用中，经常会遇到持续几个微秒甚至几百毫秒的高电压尖峰。这些系统中的电子线路不仅必须安然承受瞬态电压尖峰，需要在尖峰电压下依然持续可靠运行。

在长导线的供电的系统中，负载阶跃 (负载电流的突然变化) 将产生严重的输入电压瞬变。当负载电流从一个高值跳变至一个低值时，输入电流会随之突变，电流的快速变化 (di/dt) 将导致长导线的寄生电感产生一个正向高电压尖峰，这有可能导致通过同一根导线供电的相邻设备受损。继电器、开关触点和固态负载切换等，都可产生很高的di/dt。此外，电源与负载之间的连线受损断开，也会导致电流的突然中断，产生一个很高的 di/dt。无论起因为何，它们对电子系统造成严重危害，修复成本也很高昂。

为此，锴威特重磅推出了具备以下四个核心功能的浪涌抑制器芯片CSV2464：

• 可调输出电压钳位（过压保护）

• 精确可编程电流限制（过流/短路保护）

• 理想二极管控制（反向电流阻断与输入掉电保持）

• 可调故障定时器与自动重试（提高系统可靠性）

● 宽工作电压范围4V~80V

● 利用VCC箝位可承受超过80V的浪涌

● 可调输出箝位电压

● 理想二极管控制器可在输入掉电期间保持输出电压

● 反向输入保护至-40V

● 过流保护

● 静态电流15uA(在VCC 12V输入时)

● 可调故障定时器

● 故障期间重试占空比为0.1%

● DFN3×4-14L 、SOP16和MSOP16封装

● 汽车和航空电子浪涌保护

● 热插拔/带电插入

● 冗余电源

● 输出端口保护

针对在浪涌抑制器工作时，高于钳位电压产生的能量需要通过mos去消耗。此时需要判断mos是否满足要求。主要针对以下3点进行选型：

● 电压：需要mos满足正常工作耐压范围内并留有一定的余量。

● 电流：需要mos满足正常工作电流，并计算功耗。

● 安全工作区：需要mos满足在浪涌条件下，满足安全工作区域的要求。

例如：浪涌条件：浪涌电压80V，浪涌时间50ms，浪涌时工作电流5A,钳位电压40V。

MOS条件：DS压差：80V-40V=40V,电流：5A,浪涌时间50ms。

如下图显示：

（蓝色：工作电流线，红色：ds电压线，紫色：浪涌时间线）

结论：浪涌时间线大于50ms，满足安全工作区域范围内。

针对理想二极管选型主要针对以下3点进行选型：

● 电压：需要mos满足正常工作耐压范围内并留有一定的余量。

● 电流：需要mos满足正常工作电流，并计算功耗。

● 内阻：在工作电流下保证ds压差在芯片source-sense的调制电压点左右约为30mV。

例如：

工作电流10A,R(dson)=30mV/10A=3mΩ。选用内阻约为3mΩ的电阻。并且功耗计算合理。

● 钳位电压设计：由于钳位时，Hgate会调节电压，维持FB为1.25V,此时将输出进行钳位。

例如：需要钳位输出为40V。1.25V/R8*(R7+R8)=40V.选取合适的值满足等式即可。

● TMR电容选择：当FB达到1.25V时，芯片内部会对tmr进行充电，当tmr充电达到1.35V时，芯片会关断hgate驱动。若需要钳位时，保证输出不关断，则钳位时间内，tmr电容充不到1.35V，浪涌时间过会就会恢复hgate,并且不关断。

例如：浪涌电压80V，钳位电压40V,浪涌时间50ms。

通过此公式计算tmr过压钳位时的充电电流，VCC≈80V，VOUT=40V,ITMR=27μA。

将TMR充电电流带入此公式，时间设定为50ms,计算得出CTMR=754nf,由于低温下存在电容缩减，应留有80%余量。

CTMR=754nf/0.8=950nf。

锴威特浪涌抑制器系列芯片列表