SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会在深圳成功举办!

国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟在2019年11月25-27日深圳会展中心主办第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛的活动。

期间,苏州锴威特半导体股份有限公司、西安电子科技大学、西安卫光科技有限公司联合成功举办《SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会》。

三方联合发布在SiC功率半导体的产、学、研成果,同时邀请到了张家港市领导、半导体行业协会相关领导及国内知名专家学者、行业龙头企业代表、产业链合作伙伴,发布会上展示了三方在SiC功率半导体电力电子器件的合作成果及优秀的产业合作资源。

张家港市人民政府副市长仇玉山、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲、中国科学院院士郝跃、汉磊科技股份有限公司董事长徐建华、西安卫光科技有限公司董事长黄京才为本次发布会致词,郝跃院士由于行程临时改变,不能来到活动现场,特发来贺信。

  

张家港市人民政府副市长仇玉山致辞


仇市长表示:张家港市秉承前瞻性的目光,将化合物半导体作为重点扶持和培育的对象,制定专项规划,积极引进上下游资源,面向各地招揽专业人才,以期打造“化合物半导体世界之都”,支撑区域、助力中国半导体价值产业链发展。同时仇市长向到会的嘉宾们介绍了张家港的创业投资环境,邀请各位有志者来张家港创新创业,共谋发展。

 

 第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞


吴理事长谈到了目前我国第三代半导体的整体发展态势,作为国家高度关注的产业,第三代半导体近两年的发展取得了很好的成绩,同时国产化率也在逐步提升,我国第三代半导体产业发展正在构建自有的技术、人才、应用等方面的产业发展体系,进而提升本土产品的竞争力。同时对锴威特、西电、卫光三方的合作成果给予充分的肯定与祝贺。

 

中国科学院院士郝跃发来贺信

郝院士对发布会的成功召开表示了祝贺,同时充分肯定了产、学、研、用相结合的合作模式,强强联合,在高端SiC功率产品上实现国产自主可控,打造“国之重器”。

 

汉磊科技股份有限公司董事长徐建华致辞

汉磊作为亚太区最成熟的第三代半导体产业生产加工平台,徐董谈到很希望能与大陆设计企业展开全方位的合作,锴威特作为大陆设计企业的代表,在与汉磊的合作中也取得了非常好的成绩,同时徐董表示会一如既往的支持锴威特,共同推进SiC功率器件的产业化。

 

  

西安卫光科技有限公司董事长黄京才致辞

黄董谈到第三代半导体作为半导体产业的重要组成部分,其发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均是有战略意义,是当前世界各国科技竞争的焦点之一。西安卫光会全力配合锴威特,一起携手,共享机遇,再创新高!

 

 

在论坛环节,来自第三代半导体产业链上不同的专家针对行业发展进行了主题报告,为现场百余名听众带来了产业发展的最新干货分享。

  

西安电子科技大学微电子学院院长张玉明做了《高阈值电压碳化硅功率MOSFET器件的实现及应用优势》的主题报告:

苏州锴威特半导体股份有限公司研发部总经理谭在超分享了《SiC MOSFET的产品特征及应用注意事项》的主题报告:

 

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师冯巍博士做了《SiC功率器件封装》的主题报告:

芯谋研究总监李国强分享了《功率半导体市场分析》主题报告:

最后由苏州锴威特半导体股份有限公司董事长丁国华发布三方在SiC功率半导体的产、学、研成果,分享创立锴威特的经验与体会。

 

此次SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会取得圆满成功,整个会场座无虚席,气氛高涨,掌声雷动,这也让锴威特在功率半导体这条路上走的更加充满信心。