苏州锴威特半导体股份有限公司总裁丁国华:改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究

    碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,也代表了功率电子器件的发展方向,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。


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  2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心盛大举行。作为论坛重要的技术分会,“功率电子器件及封装技术Ⅰ”论坛于26日上午成功召开。会议由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办,得到了深圳市龙华区科技创新局、德国爱思强股份有限公司、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、英诺赛科科技有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司的协办支持。该会由分会主席浙江大学特聘教授、电气工程学院院长盛况和中山大学教授刘扬共同主持。


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    会上,邀请到了苏州锴威特半导体股份有限公司总裁丁国华带来了《改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究》主题报告。丁国华,苏州锴威特半导体有限公司总裁,1986年本科毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业,1991年东南大学半导体物理与器件专业硕士毕业。1986年7月至1997年12月在中国华晶电子集团公司工作,历任产品工艺工程师、产品设计工程师及分厂技术副厂长等职务。2003年5月创立无锡硅动力微电子股份有限公司,先后任公司副董事长,总经理、董事长等职务。曾被无锡政府授予优秀总经理。在2015年加盟苏州锴威特半导体股份有限公司,任公司总裁,获苏州姑苏领军人才。公司致力于功率半导体器件与功率集成芯片的开发与销售。公司于2018年成功推出量产级1200V SiC MOSFET,公司2018年获江苏省“科技小巨人企业”称号。


  丁国华总裁表示,碳化硅MOSFET由于工艺制造上的难点和材料限制,无法像硅基MOSFET利用自对准工艺形成沟道,导致沟道长度的设计必须考虑光刻套刻偏差的影响,不能设计为最优尺寸,以及在SiC-Sio2界面的缺陷密度导致沟道迁移率下降,都对RONSP造成不利影响。如何降低光刻套刻偏差对沟道长度的影响以及优化SiC-SiO2界面的缺陷密度,提高沟道迁移率。